砷化鎵器件應用于消費電子射頻功放，是 3G/4G 通訊應用的主力，物聯(lián)網(wǎng) 將是其未來應用的藍海；氮化鎵器件則以高性能特點目前廣泛應用于基站、 雷達、電子戰(zhàn)等軍工領(lǐng)域，利潤率高且戰(zhàn)略位置顯著，由于更加適用于 5G， 氮化鎵有望在 5G 市場迎來爆發(fā)。

　　射頻功率放大器的主要技術(shù)指標是輸出功率與效率，如何提高輸出功率和效率,是射頻功率放大器設計目標的核心。通常在射頻功率放大器中，可以用LC諧振回路選出基頻或某次諧波，實現(xiàn)不失真放大。

　　蘇州恒邁瑞材料科技是微波射頻芯片（MMIC）和模擬芯片研發(fā)生產(chǎn)商，產(chǎn)品采用GaAs PHEMT/HBT、GaN HEMT、CMOS、SiGe BiCMOS工藝制作的微波射頻芯片和高速模擬芯片，頻率覆蓋范圍達DC-100GHz，具有頻帶寬、功耗低、集成度高、成本低、供貨周期短等獨特優(yōu)勢，已形成超寬帶、低功耗系列等多種特色產(chǎn)品，同時可提供環(huán)行器隔離器和微波毫米波組件，這些產(chǎn)品在無線通信、汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)等市場領(lǐng)域得到了廣泛應用。