1 綜述
EM78P372N 是采用低功耗高速CMOS 工藝設(shè)計(jì)開發(fā)的8 位微控制器。
該控制器有片內(nèi)2KX13 位一次性編程
ROM(OPT-ROM)。
它提供一個(gè)保護(hù)位用以保護(hù)用戶在OTP 存儲器內(nèi)的程序不被讀取，三個(gè)代碼選項(xiàng)以滿足
用戶的需要。
基于增強(qiáng)的OTP-ROM 特性，EM78P372N 可方便地開發(fā)和校驗(yàn)用戶代碼，另外，使用開發(fā)與編程工具，使
此OTP 代碼更新更加簡單和有效，用戶可利用義隆燒錄器很容易地?zé)浧溟_發(fā)代碼。
2 產(chǎn)品特性
?? CPU 配置
? 2K×13 位片內(nèi) ROM
? 80×8位片內(nèi)寄存器 (SRAM)
? 8級堆棧用于子程序嵌套
? 4級可編程電壓檢測(LVD) : 4.5V, 4.0V, 3.3V, 2.2V
? 3級可編程電壓復(fù)位(LVR) : 4.0V, 3.5V, 2.7V
? 5V/4 MHz 工作條件下耗電流低于 1.5 mA
? 3V/32kHz 工作條件下耗電流典型值為 15 μA
? 休眠模式下耗電流典型值為 2 μA
?? I/O 端口配置
? 3 組雙向I/O端口: P5, P6, P7
? 18 I/O 引腳
? 喚醒端口: P5
? 8 個(gè)可編程下拉I/O引腳
? 16 個(gè)可編程上拉I/O引腳
? 8 個(gè)可編程漏極開路I/O引腳
? 14 個(gè)可編程高灌I/O引腳
? 外部中斷: P60
?? 工作電壓范圍:
? 2.1V~5.5V at 0°C~70°C (商規(guī))
? 2.3V~5.5V at -40°C~85°C (工規(guī))
?? 工作頻率范圍(基于2個(gè)時(shí)鐘周期):
? 晶振模式: DC ~ 16 MHz, 4.5V;
DC ~ 8 MHz, 3V; DC ~ 4 MHz, 2.1V
? ERC模式: DC ~ 2 MHz, 2.1V;
? IRC 模式
振蕩模式: 16 MHz, 4 MHz, 1 MHz, 8 MHz
偏移率
內(nèi)部RC
頻率 溫度
(-40°C~85°C)
電壓
(2.1V~5.5V) 制程 Total
4 MHz ±2% ±1% ±2% ±5%
16 MHz ±2% ±1% ±2% ±5%
8 MHz ±2% ±1% ±2% ±5%
1 MHz ±2% ±1% ±2% ±5%
?? 以上四個(gè)主頻都可通過編程設(shè)置ICE300N仿真器的四個(gè)
校正位來校正，OTP可由義隆燒錄器自動校正。
?? 快速啟動時(shí)間，在XT模式(VDD: 5V, 晶振: 4 MHz, C1/C2:
15pF)下只需0.8ms, 在IRC模式(VDD: 5V, IRC: 4 MHz)下
只需10μs。
?? 外設(shè)配置
? 8位實(shí)時(shí)時(shí)鐘/計(jì)數(shù)器 (TCC)，其時(shí)鐘源、邊沿觸發(fā)和溢
出中斷可選
? 8通道解析度為12位的模數(shù)轉(zhuǎn)換器
? 一對比較器或OP(偏移電壓: 小于10mV)
? 兩個(gè)脈寬調(diào)制器 (PWM)，8位分辨率
?? 10個(gè)可用中斷
? TCC 溢出中斷
? 輸入端口狀態(tài)改變中斷（可喚醒休眠模式）
? 外部中斷
? ADC 轉(zhuǎn)換完成中斷
? 比較器狀態(tài)改變中斷
? 低電壓檢測(LVD) 中斷
? PWM1~2 周期匹配中斷
? PWM1~2 占空比匹配中斷
?? 特性:
? 可編程的自由運(yùn)行看門狗定時(shí)器 (4.5 ms : 18 ms)
? 休眠省電模式
? 上電電壓偵測器(1.9V ± 0.2V)
? 高抗EFT特性 (4MHz及以下抗EFT性能更好)
?? 封裝類型:
? 10-pin MSOP 118mil : EM78P372NMS10J/S
? 10-pin SSOP 150mil : EM78P372NSS10J/S
? 14-pin DIP 300mil : EM78P372ND14J/S
? 14-pin SOP 150mil : EM78P372NSO14J/S
? 16-pin SOP 150mil : EM78P372NSO16AJ/S
? 18-pin DIP 300mil : EM78P372ND18J/S
? 18-pin SOP 300mil : EM78P372NSO18J/S
? 20-pin DIP 300mil : EM78P372ND20J/S
? 20 pin SOP 300mil : EM78P372NSO20J/S
? 20 pin SSOP 209mil : EM78P372NSS20J/S
注: 綠色產(chǎn)品不含有害物質(zhì) ? 功能描述
6.1 操作寄存器
6.1.1 R0 (間接尋址寄存器)
R0 不是一個(gè)在物理寄存器空間存在的寄存器。
它用于作為間接尋址指針，任何使用R0
作為存取數(shù)據(jù)指針的指令，實(shí)際上存取的是RAM選擇寄存器(R4)所指向的數(shù)據(jù)。
6.1.2 R1 (定時(shí)時(shí)鐘/計(jì)數(shù)器)
?? 對來自TCC引腳的外部信號沿(邊沿由CONT寄存器的第5位(TE)設(shè)置)或?qū)?nèi)部指令
周期時(shí)鐘進(jìn)行加1計(jì)數(shù)。
?? 與其它寄存器一樣可讀寫。
?? TCC 預(yù)分頻計(jì)數(shù)器分配給TCC使用。
?? 下列任何一種情況發(fā)生，CONT寄存器內(nèi)容被清零
? 給TCC寄存器賦值
? 給TCC預(yù)分頻位賦值(CONT寄存器的第3, 2, 1, 0位)
? 上電復(fù)位，/RESET復(fù)位，或WDT溢出復(fù)位 ?