原理:

　　1.用于制造光敏電阻的材料主要是金屬的硫化鎘、硒化鎘等半導(dǎo)體。

　　2.光敏電阻器是利用半導(dǎo)體的光電效應(yīng)之稱的一種阻值隨入射光的強(qiáng)弱而改變的電阻器；入射光強(qiáng)，電阻減小，入射光弱，電阻增大。光敏電阻適用于光的測(cè)量、控制和光電轉(zhuǎn)換.

　　特性:

　　體積小、環(huán)氧樹(shù)脂封裝，靈敏度高、反應(yīng)速度快，光譜特性好 ，可靠性好.

　　測(cè)試條件:亮電阻

　　用400~600Lux光照射2小時(shí)后，在標(biāo)準(zhǔn)光源A色溫(2854K)下，用10Lux光測(cè)量.

　　暗電阻

　　關(guān)閉10Lux光照后第10秒的電阻值.

　　γ

　　是指10Lux和100Lux照度下的標(biāo)準(zhǔn)值

　　R10、R100分別為10Lux和100Lux照度下的電阻值；γ 公差為±0.1

　　最大功率損耗

　　環(huán)境溫度為25℃時(shí)的最大功率.

　　最大外加電壓

　　在黑暗中可連續(xù)施加給元件的最大電壓.